鶴崗@RCN226-16384533110-01指導√數(shù)據(jù)運算== 鶴崗@RCN226-16384533110-01指導√數(shù)據(jù)運算
聯(lián)系人:霍維嶺13073155584
|
QQ:3522099346
|
電話:0311-89680693
|
傳真:0311-85155030
|
地址:石家莊經(jīng)濟技術區(qū)揚子路西頭興發(fā)怡園3-5號
石家莊百川捷潤自動化科技有限公司 是一家經(jīng)銷自動化儀器儀表進口品牌的專業(yè)公司,本著實事求是、嚴謹認真的科學態(tài)度對待自身的產(chǎn)品和用戶;是您合作的佳的選擇,給您需要的幫助,達到您滿意的結果。
西屋DCS模塊
|
1B30016H06
|
1B30023H01
|
1B30023H02
|
1B30035H01
|
1B30047G01
|
1C31025G03
|
1C31107G01
|
1C31107G02
|
1C31110G01
|
1C31110G02
|
1C31110G03
|
1C31113G01
|
1C31113G02
|
1C31113G03
|
1C31113G03
|
1C31113G05
|
1C31113G06
|
1C31116G01
|
1C31116G02
|
1C31116G03
|
1C31116G04
|
1C31122G01
|
1C31122G01
|
1C31125G02
|
1C31125G03
|
1C31129G01
|
1C31129G02
|
1C31129G03
|
1C31129G04
|
1C31132G01
|
1C31142G01
|
1C31147G01
|
1C31147G02
|
1C31150G01
|
1C31166G01
|
1C31169G02
|
1C31181G02
|
1C31194G01
|
1C31194G01
|
1C31197G01
|
1C31219G01
|
1C31222G01
|
1C31223G01
|
1C31224G01
|
1C31227G01
|
1C31232G01
|
1C31232G03
|
1C31233G01
|
1C31234G01
|
1C31238H01
|
1D42128G04
|
1D54557G03
|
1D54561G02
|
1D54582G02
|
1D54582G05
|
1X00024H01
|
1X00163H01
|
1X00185H01
|
1X00417H01
|
2380C91G03
|
249-06-02
|
249-06-042
|
2840A18G01
|
2840A18G02
|
2840A18G03
|
2840A18G04
|
2840A19G06
|
2840A19G07
|
2840A20G01
|
2840A20G02
|
2840A20G03
|
2840A21G01
|
2840A21G02
|
2840A21G04
|
4256A98G01
|
4A00081G01
|
4D33645G05
|
4D33755G04
|
4D33865G02
|
4D33913G01
|
5A26391H03
|
5D32123G02
|
5X00070G04
|
5X00105G07
|
5X00119G01
|
5X00121G01
|
7379A29G01
|
7379A31G05
|
7379A89G01
|
7379A93G01
|
7380A51G01
|
7381A01G01
|
7381A08G01
|
7381A61G02
|
772B217G01
|
772B450G01
|

參比電極發(fā)生的問題絕大多數(shù)是由液接界堵塞引起的,可用下列解決:
|
(1)浸泡液接界:用10%飽和溶液和90%蒸餾水的混合液,加熱至60~70℃,將電極浸入約5cm,浸泡20分鐘至1小時。此法可溶去電極端部的結晶。
|
(2)氨浸泡:當液接界被氯化銀堵塞時可用濃氨水浸除。具體是將電極內充洗凈,液放空后浸入氨水中10~20分鐘,但不要讓氨水電極內部。取出電極用蒸餾水洗凈,重新加入內充液后繼續(xù)使用。
|
(3)真空:將軟管套住參比電極液接界,使用水流吸氣泵,抽吸部分內充液穿過液接界,除去機械堵塞物。
|
(4)煮沸液接界:銀-氯化銀參比電極的液接界浸入沸水中10~20秒。注意,下一次煮沸前,應將電極冷卻到室溫。
|
(5)當以上均無效時,可采用砂紙研磨的機械去除堵塞。此法可能會使研磨下的砂粒液接界。造成性堵塞。
|
鶴崗@RCN226-16384533110-01指導√數(shù)據(jù)運算SEMICON于12月5日推出,主辦方SEMI率先宣布SEMIS半導體設備資本共識(SEMIS)。預計2012年全球半導體設備收入將達到382億美元,預計未來半導體設備資本支出增長將放緩。不過,預計2014年勢頭將恢復,并將出現(xiàn)兩位數(shù)增長。該報告指出,與2010年相比,2011年全球半導體設備市場增長151%,比2011微增長9%,而2012年半導體設備市場預計下降12.2%。然而,2012年,的非常出色,增長率為12.7%,而的增長率僅為10.7%,今年和的半導體設備資本支出將達到96億美元,位居前兩位,北美以80億美元排在第八位,歐洲,等地區(qū)將受到大影響。展望2013年,半導體設備的全球資本支出預計下降2.1%,但,和將出現(xiàn)輕微到的增長,其中將為98億美元,位居。預計2014年全球半導體設備資本支出將恢復增長勢頭,增速回落12.5個百分點。 2014年半導體設備消費市場將繼續(xù)全球,價格為100億美元。 SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Denny McGuirk表示:“半導體設備的資本支出是反映重要投資趨勢,行業(yè)周期和整體經(jīng)濟的重要指標。對半導體先進工藝和封裝技術的投資仍在推動著該行業(yè)的發(fā)展。市場恢復后,產(chǎn)能投資將繼續(xù)?!皬脑O備產(chǎn)品類別來看,各類晶圓加工設備是收入貢獻高的設備,預計2012年將下降14.8%達到293億美元,2013年將維持今年的;預計包裝設備市場將下降5.1?達到32億美元;半導體設備市場也有望下降4.8%,達到36億美元。然而,其他產(chǎn)品類別(包括晶圓廠設備,光掩模和晶圓制造設備)良好,并將顯示6.3的增長率?下表顯示估計的市場規(guī)模為10億美元,增長率與去年相比:*其他類別包括晶圓設備,光掩模和晶圓制造設備等。由于四舍五入不一致)Instrum ??塤a ????
|
鶴崗@RCN226-16384533110-01指導√數(shù)據(jù)運算廣東省佛山市舉辦了高校新工程與產(chǎn)業(yè)高校交流簽約儀式暨廣東省高新技術學院建設簽約儀式。廣東省教育廳與茂名市和江門市簽署協(xié)議,五年投資51.5億元,支持廣東石油化工大學和五邑大學建設高水平的理工科大學。根據(jù)協(xié)議,從2018年到2022年,廣東石油大學將投入3.05億元用于省市財政,其中18億將用于學校西城校區(qū)的建設。學校將圍繞華南沿海石化產(chǎn)業(yè),南海能源,茂名加強石化產(chǎn)業(yè),加快發(fā)展戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)等工作,重點抓好石油天然氣建設工程,化學工程與技術,控制科學與工程,電力工程與工程熱物理,理工科等五大學科和專業(yè)群體,建立了具有鮮明石化特色和突出優(yōu)勢的高水平理工科大學。從2018年到2022年,五一大學投資21億元用于軌道交通,現(xiàn)代教育設備和光伏發(fā)電的省市財政。